MOS

金属、酸化膜、半導体の3層の構造から成る金属酸化膜半導体。 Metal Oxide Semiconductorの略。また、接合部を1つしか持っていないため低消費電力かつ高集密度で実装できるトランジスタである、電界効果トランジスタ（FET: Field Effect Transistor）と合わせてMOS-FETと呼ばれる。抵抗値の変化により電流の大小を調整する効果がある。